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J-GLOBAL ID：201702245116154200   整理番号：17A0389363

(1 x)KNbO_3x(Ba_0 5Bi_0)(Nb_0 5Zn_0)O_3セラミックのバンドギャップ変化と圧電への電歪クロスオーバ【Powered by NICT】

Band gap evolution and a piezoelectric-to-electrostrictive crossover in (1 -x)KNbO₃-x(Ba_0.5Bi_0.5)(Nb_0.5Zn_0.5)O₃ ceramics

著者 (7件)： Pascual-Gonzalez Cristina (Christian Doppler Lab on Advanced Ferroic Oxides, Materials and Engineering Research Institute, Sheffield Hallam University, Howard Street, S1 1WB, Sheffield, UK. [e-mail]) ,  Schileo Giorgio ,  Khesro Amir ,  Sterianou Iasmi ,  Wang Dawei ,  Reaney Ian M. ,  Feteira Antonio
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 8  ページ： 1990-1996  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (1 x)KNbO_3x(Ba_0 5Bi_0)(Nb_0 5Zn_0)O_3(0≦x≦0.25)セラミックのバンドギャップは,x=0~0.25のx=0~0の3.22eVからわずかに狭く2.89eVに,第一原理計算[Phys.Rev.B,2014;89;235105]と広く一致した。添加では,この組成範囲,非強誘電相の存在のために最大電場誘起歪の連続減少を伴うで観察され報告されていない圧電と電歪クロスオーバ。0.023m~4C~ 2の電気ひずみ係数は0.05で測定したが,電気機械的応答は,非強誘電性x=0.25で観察され,80kV cm~ 1の印加電場下でもされていない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 強誘電性 ,  *バンドギャップ ,  *圧電気 ,  電場 ,  *電歪 ,  電気機械 ,  *セラミック
準シソーラス用語： 印加電圧 ,  第一原理計算 ,  *クロスオーバー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： セラミック ,  バンドギャップ ,  圧電 ,  電歪 ,  クロスオーバ