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J-GLOBAL ID：201702245317779496   整理番号：17A0795074

NbドープTiO_2保護されたバックチャネルエッチした非晶質InGaZnO薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Nb Doped TiO₂ Protected Back-Channel-Etched Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors

著者 (7件)： Zhang Letao (School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China) ,  Zhou Xiaoliang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yang Huan (School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China) ,  He Hongyu (School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China) ,  Wang Longyan (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zhang Min (School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China) ,  Zhang Shengdong (School of Electronic and Computer Engineering, Shenzhen Graduate School, Peking University, Shenzhen, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 213-216  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質InGaZnO(a IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)を作製するための新しいバックチャネルエッチプロセスを実証した,導電性NbドープTiO_2(TNO)薄膜を用いて,a-IGZO活性層のための保護層として機能することである。厚みがわずか1nmである場合でも,TNO膜は優れた保護と活性層を提供することを示した。N_2Oプラズマ°Cアニーリングによる処理により,導電性TNOは絶縁体in situ不動態化層として機能するに変換することができる。に加えて,TNO層の導入により,BCEプロセス作製したTFTのソース ドレイン寄生抵抗は有意に減少し,正バイアス応力安定性も改善された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  絶縁体 ,  導電性 ,  *ドーピング ,  不動態化 ,  *薄膜 ,  プラズマ ,  *非晶質 ,  活性層 ,  焼なまし ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： 寄生抵抗 ,  保護層 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Nb ,  ドープ ,  非晶質 ,  トランジスタ