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J-GLOBAL ID：201702245348551217   整理番号：17A0218921

金属-強誘電体-絶縁体-半導体デバイスにおけるネガティブキャパシタンス効果のための条件

Condition for the negative capacitance effect in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor devices

著者 (3件)： RUSU Alexandru (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CHE) ,  SAEIDI Ali (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CHE) ,  IONESCU Adrian M (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, CHE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 11  ページ： 115201,1-6  発行年： 2016年03月18日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体のネガティブキャパシタンス(NC)効果を利用した電界効果トランジスタ(NCFET)が提案され実験とシミュレーションがなされているが,NC効果を安定して発生させる条件は明らかにされていない。本論文で,既報の解析的方法でこの条件を計算し実験で検証した。金属-強誘電体-絶縁体-シリコン構成のFETを考察した。強誘電体の分極電界関係図において,一方の分岐にS字状のヒステリシス特性が現れこの領域でNC効果が発生する。また,デバイスの表面電位と強誘電体の電界の関係を表す充電直線は,傾斜が大きいとS字曲線と3点で交差しシステムは不安定になる。これらを計算式で表し,NC効果の安定発生条件式を求めた。NC効果は弱反転領域のみに発生しゲート電圧に依存する。

シソーラス用語： 強誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *静電容量 ,  安定条件 ,  曲線 ,  ヒステリシス ,  表面電位 ,  解析的解法 ,  実験
準シソーラス用語： *ネガティブキャパシタンス ,  *強誘電体FET ,  検証実験 ,  分極曲線

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体 ,  絶縁体 ,  半導体デバイス ,  ネガティブキャパシタンス