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J-GLOBAL ID：201702245358190384   整理番号：17A0316951

二重ゲート絶縁体上シリコンFINFETの短チャネル効果に及ぼすキャリア量子閉込めの影響【Powered by NICT】

Impact of carrier quantum confinement on the short channel effects of double-gate silicon-on-insulator FINFETs

著者 (3件)： Medury Aditya Sankar (Center for Nano-Science and Engineering, Electrical Communication Engineering Department, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Bhat K.N. (Center for Nano-Science and Engineering, Electrical Communication Engineering Department, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Bhat Navakanta (Center for Nano-Science and Engineering, Electrical Communication Engineering Department, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 55  ページ： 143-151  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,広い範囲のチャネル長(L)とドレイン電圧(V)の上の完全空乏化(FD)無ドープ対称形2重ゲート(DG)絶縁体上けい素(SOI)FINFETのための静電気学すなわちしきい値電圧(V),サブ閾値傾斜とドレイン誘起障壁低下(DIBL)を決定するために中心ポテンシャルに基づくアプローチを用いた。この方法に基づいて,無ドープ対称形2重ゲート(DG)絶縁体上けい素(SOI)FINFETの静電気学の比較はT=2nmとT=7nmの二つの異なるSOIフィン厚さに対する半古典と量子閉込め例間であった。両方の場合に対して,しきい値電圧ロールオフとDIBL(ドレイン誘起障壁低下)である半古典の場合よりも量子閉込めの場合で大きいことを観測した。一見反直感的傾向は,短チャネル挙動(L)への長いチャネルからの遷移に対応するチャネル長は量子閉じ込めの場合と比較して半古典の場合低いであることを意味する。この挙動は広範囲のゲートとドレイン電圧のT=2nmとT=7nmのSOIフィンの厚さに沿った電場による横方向電場(チャネル長さに沿った)を比較することによって説明した。この解析は,量子閉込めが短チャネル効果に悪影響を与えると半古典的ケースと比較してL_の増加をもたらすことを示唆した。Lのためのこれらの結果は,対称DG SOI FINFETの静電気学性能とスケーラビリティを評価する一方,量子閉込め効果を含める必要性の重要性を明らかに示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  フィン ,  ドーピング ,  *ケイ素 ,  電場 ,  *量子閉込め ,  対称性 ,  *短チャネル効果 ,  *絶縁材料 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： *短チャネル ,  DIBL ,  閾値電圧 ,  静電気学 ,  チャネル長 ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： DG FinFET ,  静電気学 ,  量子閉込め ,  短チャネル効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート絶縁体 ,  シリコン ,  FinFET ,  短チャネル効果 ,  キャリア ,  量子閉込め