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J-GLOBAL ID：201702245471753454   整理番号：17A0830933

白金めっきけい素上のBaTiO_3薄膜:成長,キャラクタリゼーションおよび抵抗メモリ挙動【Powered by NICT】

BaTiO₃ thin films on platinized silicon: Growth, characterization and resistive memory behavior

著者 (16件)： Roman A. (Gereencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Roman A. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Rengifo M. (Gereencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Rengifo M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Saleh Medina L.M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Saleh Medina L.M. (Instituto de Quimica Fisica de Materiales, Ambiente y Energia (INQUIMAE) and Departamento de Quimica Inorganica, Analitica y Quimica Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires, Buenos Aires, Argentina) ,  Reinoso M. (Gereencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Reinoso M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Reinoso M. (Escuela de Ciencia y Tecnologia, UNSAM, Campus Miguelete (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Negri R.M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Negri R.M. (Instituto de Quimica Fisica de Materiales, Ambiente y Energia (INQUIMAE) and Departamento de Quimica Inorganica, Analitica y Quimica Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Buenos Aires, Buenos Aires, Argentina) ,  Steren L.B. (Gereencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Steren L.B. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Rubi D. (Gereencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499 (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina) ,  Rubi D. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Argentina.) ,  Rubi D. (Escuela de Ciencia y Tecnologia, UNSAM, Campus Miguelete (1650), San Martin, Buenos Aires, Argentina)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 628  ページ： 208-213  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti/BaTiO_3/Ptメモリスタデバイスの作製と特性評価について報告した。BaTiO_3膜を,種々のレーザパルスエネルギーでパルスレーザ蒸着により白金化シリコン上に成長させた。は作製条件と膜の微細構造と化学量論の存在を証明した。BaTiO_3膜に見出された小さな粒径は構造正方晶歪みを不安定化し,長距離強誘電秩序の出現を阻害することが示唆された。強誘電抵抗スイッチング(RS)の非存在下でも,二種類のRS機構(金属フィラメント形成と酸化/還元Ti上部電極の)は競合し,膜の化学量論と微細構造を制御することにより選択することができることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  酸化 ,  化学量論 ,  *白金めっき ,  粒径 ,  *ケイ素 ,  パルスレーザ蒸着 ,  正方晶系 ,  *薄膜 ,  フィラメント ,  微細構造
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  長距離 ,  不安定化 ,  *抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： メムリスティブ酸化物 ,  BaTiO_3 ,  シリコン上の薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 白金めっき ,  けい素 ,  薄膜 ,  成長 ,  キャラクタリゼーション ,  抵抗メモリ ,  挙動