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J-GLOBAL ID：201702245616520171   整理番号：17A0075972

GAAS/ALGAAS二重量子井戸の空間移動効果のシミュレーションと実験【JST・京大機械翻訳】

Simulation and experience of realspace transfer effect in GaAs /AlGaAs double quantum well

著者 (4件)： Yu Chengzhang (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics) ,  Jin Chuan (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics) ,  Bai Zhizhong (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics) ,  Chen Jianxin (Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors,Shanghai Institute of Technical Physics)
資料名： Hongwai yu Haomibo Xuebao  (Hongwai yu Haomibo Xuebao)
巻： 35  号： 4  ページ： 407-411  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0174C  ISSN： 1001-9014  CODEN： HHXUEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単一周期変調によってドープしたGAAS/ALGAASのバンド構造を,投Zhi法と有限要素法を用いて計算し,基底状態と第一励起状態の間のエネルギー準位差は43.3MEVであることを示した。これらの結果により,キャリアの横方向移動効果の電界強度は1.2~1.8KV/CMの範囲にあることを示した。本論文では,MBE技術を用いて子構造を成長させ,アニーリング条件を最適化することにより,理想的金属-半導体接触条件を得た。これらの結果に基づき,1.5KV/CMの電界強度において,電流電圧曲線は負の抵抗特性を示した。この電界強度はGAAS電界効果の電界強度と区別され、このことから、微分抵抗性のメカニズムは電子が高移動度導電性低移動度導電層の横移動によるものであり、即ち実空間転移であることが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基底状態 ,  *電界強度 ,  ドーピング ,  導電性 ,  焼なまし ,  バンド構造 ,  エネルギー準位 ,  移動度 ,  最適化 ,  有限要素法
準シソーラス用語： 実空間 ,  導電層 ,  高移動度 ,  微分抵抗 ,  *二重量子井戸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaAs /AlGaAs ,  negative differential resistance effect ,  real space transfer

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  AlGaAs ,  二重量子井戸 ,  シミュレーション ,  実験