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J-GLOBAL ID：201702245653186106   整理番号：17A0364626

非晶質シリコン時間分解Raman分光法と計算機シミュレーションのレーザ誘起固相結晶化の速度論【Powered by NICT】

Kinetics of the laser-induced solid phase crystallization of amorphous silicon-Time-resolved Raman spectroscopy and computer simulations

著者 (3件)： Ocenasek J. (New Technologies - Research Centre, University of West Bohemia, 30614 Plzen, Czech Republic) ,  Novak P. (New Technologies - Research Centre, University of West Bohemia, 30614 Plzen, Czech Republic) ,  Prusakova L. (New Technologies - Research Centre, University of West Bohemia, 30614 Plzen, Czech Republic)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 867-871  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Raman分光法を装備したレーザ誘起結晶化は,一般的に,熱的に活性化した結晶化速度を研究するための有効なツールであることを示した。非晶質シリコン薄膜の固相結晶化のための,結晶相に対応するRamanスペクトルの積分強度は時間対数スケールで直線的に成長することを示した。,ランダムな核形成と結晶成長を仮定した数学モデルはレーザにより誘起された不均一温度場における結晶化過程をシミュレートするために設計した。モデルはアイコナール方程式と結晶核形成と成長速度のArrhenius温度依存性を解くことに基づいている。これら計算機シミュレーションを成功裏に結晶化プロセス動力学を近似し,レーザ誘起結晶化は主に熱的に活性化したことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  結晶核形成 ,  *計算機シミュレーション ,  成長速度 ,  *速度論 ,  *固相 ,  温度依存性 ,  核形成 ,  晶析速度 ,  *アモルファスシリコン ,  温度場 ,  Ramanスペクトル ,  *結晶化
準シソーラス用語： 結晶相 ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質シリコン ,  分解 ,  Raman分光法 ,  計算機シミュレーション ,  レーザ誘起 ,  固相 ,  結晶化 ,  速度論