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J-GLOBAL ID：201702245858991929   整理番号：17A0749551

層状構造ビスマスアンチモンテルリド熱電膜のvan der Waalsエピタクシーのためのグラフェン基板【Powered by NICT】

Graphene Substrate for van der Waals Epitaxy of Layer-Structured Bismuth Antimony Telluride Thermoelectric Film

著者 (7件)： Kim Eun Sung (Center for Integrated Nanostructure Physics, Institute for Basic Science (IBS), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Hwang Jae-Yeol (Center for Integrated Nanostructure Physics, Institute for Basic Science (IBS), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Kyu Hyoung (Department of Nano Applied Engineering, Kangwon National University, Chuncheon, 24341, Republic of Korea) ,  Ohta Hiromichi (Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan) ,  Lee Young Hee (Center for Integrated Nanostructure Physics, Institute for Basic Science (IBS), Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Lee Young Hee (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea) ,  Kim Sung Wng (Department of Energy Science, Sungkyunkwan University, Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 8  ページ： ROMBUNNO.201604899  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D層状物質のvan der Waalsエピタクシー用の基板としてのグラフェンは層状構造熱電膜のエピタキシャル成長に利用されている。簡単かつスケーラブルな製造法により合成したグラフェンのvan der WaalsエピタキシャルBi_0 5Sb_1 5Te_3膜は良好な結晶性と単結晶に匹敵する高い熱電輸送特性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *層状組織 ,  結晶度 ,  *エピタクシー ,  単結晶 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ビスマスアンチモンテルリド ,  グラフェン ,  層状構造 ,  熱電材料 ,  van der Waalsエピタクシー

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 層状構造 ,  VAN ,  エピタクシー ,  グラフェン