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J-GLOBAL ID:201702245897465924   整理番号:17A0403065

プラズマ処理したグラフェン酸化物を用いた有機発光素子における正孔注入増強【Powered by NICT】

Hole injection enhancement in organic light emitting devices using plasma treated graphene oxide
著者 (7件):
資料名:
巻: 397  ページ: 144-151  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高仕事関数(WF)を正孔注入層(HIL)である有機発光素子(OLED)の陽極と正孔輸送層の間の注入障壁を低減することが望ましい。ここでは,OLED中の酸素と水素プラズマ処理とその正孔注入特性を使用する酸化グラフェン(GO)のWFを調整するための新しい方法を報告した。GO(O_2~-GO)上の酸素プラズマの温和な曝露はCO結合の膨張によるアノード(4.98eV)のWFを増加させることにより,注入障壁を著しく低下させた。とは対照的に,WFはCO結合の収縮により低下する正孔注入障壁は水素プラズマ処理したGO(H_2GO)層の劇的に増加した。OLEDのHILとして活性O_2~-GOを用いて無垢GOの3.3cd/Aと比較して4.2cd/Aの優れた電流効率を示すことが分かった。さらに,O_2~-GO注入正孔だけの素子の高注入効率は改善されたエネルギー準位マッチングに起因すると考えられる。紫外およびX線光電子分光法を用いて,GOマトリックス中のCOの気まぐれな含有量を有するOLEDの性能向上に向けたHIL注入アノードのWFを相関させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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発光素子 
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