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J-GLOBAL ID:201702246401032041   整理番号:17A0388831

高結合を持つスイッチ可能な3 0磁気電気ナノ複合材料薄膜【Powered by NICT】

Switchable 3-0 magnetoelectric nanocomposite thin film with high coupling
著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 3246-3251  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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PbZr_0 0.52Ti_0Ti0.48O_3(PZT)とCoFe_2O_4(CFO)の3 0ナノ複合材料薄膜を堆積させるために用いた混合前駆体溶液法。PZTの圧電挙動とCFOの磁歪挙動をそれぞれの相間の歪移動により磁気電気(ME)結合を可能にした。高ME結合はメモリデバイス,磁場センサ,エネルギーハーベスタを含む多くの用途のために望まれている。3 0ナノ複合材料膜における自発的相分離が観察され,PZTマトリックスの厚さを通して離散層に分布する25nm CFO粒子またはナノ相であった。逆磁気ポーリング条件下でナノ複合材料薄膜の磁気力顕微鏡像はCFOナノ粒子の高濃度の面内パンケーキ状領域を明らかにした。CFOナノ粒子の大きさと分布への制約は,PZTマトリックス中に独特の分布を作成し,250Oeと1kHzのDCバイアスで3.07V cm~ 1Oe~ 1のME結合の値を達成し,90kHzで25.0Vまでcm~ 1Oe~ 1を増加させた。圧電力顕微鏡を用いて,逆磁気ポーリング方向前後の強誘電分域構造を調べることであった。はこのナノ複合材料において,強誘電体分域の分極は磁場による磁化の方向をスイッチングの結果として方向をスイッチすることをが分かった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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高分子固体の物理的性質 
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