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J-GLOBAL ID:201702246693767260   整理番号:17A0408158

燃焼合成したCu-Ge合金からの三成分Cu_2GeS_3薄膜太陽電池の高開路電圧【Powered by NICT】

High open-circuit voltage of ternary Cu2GeS3 thin film solar cells from combustion synthesized Cu-Ge alloy
著者 (5件):
資料名:
巻: 160  ページ: 319-327  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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地球的に豊富で非毒性元素から成る三成分カルコゲン化物半導体銅硫化ゲルマニウム(Cu_2GeS_3)は太陽光発電に適した集光材料であると考えられる。本研究では,Cu_2GeS_3薄膜太陽電池は,創造的燃焼法に基づいて作製した。XRDおよびRaman解析は,燃焼合成した生成物をCu-Ge合金よりむしろ金属酸化物で構成されていることを明らかにした。CGS膜の構造的,形態的,光学的および電気的性質を詳細に解析した。Cu_2GeS_3薄膜太陽電池の最高電力変換効率は,592mVの高い開回路電圧で2.67%を達成した。実験結果はp型半導体Cu_2GeS_3はその適切なバンドギャップとキャリア濃度による太陽電池のための非常に有望な集光材料であることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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