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J-GLOBAL ID:201702246832150223   整理番号:17A0737621

単相ND_(1.85)CE_(0.15)CUO_4薄膜とそのレーザ誘起熱電電圧効果をパルスレーザ蒸着により成長させた。【JST・京大機械翻訳】

Preparation of single-phase Nd_(1.85) Ce_(0.15) CuO_4 thin films by pulse laser deposition and the laser-induced thermoelectric voltage effect
著者 (4件):
資料名:
巻: 15  号:ページ: 113-119  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2096A  ISSN: 1007-4252  CODEN: GCQXFW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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単相ND_(1.85)CE_(0.15)CUO_4(NCCO)薄膜を,パルスレーザ蒸着(PLD)によりSRTIO_3単結晶基板上に成長させた。レーザ誘起熱電電圧(LITV)信号を,斜切Chen底上で成長させたNCCO薄膜から初めて検出した。実験結果は,ND_(1-X)CEXO_(1.75),(NCO)が,低堆積温度,高堆積酸素圧力,および大きなレーザパルス繰返し周波数の下で成長することを示した。不純物相は,基板表面上の粒子の拡散と移動の困難性に起因する。しかし,高温での真空アニーリングは,相変態を引き起こし,それは,NCCOの構造変態による熱分解に関連した。堆積温度を上昇させ,蒸着酸素圧力とレーザパルス繰返し周波数を減少させ,低温(T≦800°C)真空アニーリングを採用することにより,相の形成を抑制することができた。調製した単相の薄膜は,1MJの紫外線パルスレーザの照射により,0.8VのLITV信号を誘起することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  レーザ照射・損傷  ,  金属薄膜 

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