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J-GLOBAL ID:201702246932564043   整理番号:17A0758084

半導体ベースのガルバニック分離のためのタッチ電流抑制【Powered by NICT】

Touch current suppression for semiconductor-based galvanic isolation
著者 (7件):
資料名:
巻: 2016  号: WiPDA  ページ: 265-270  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,半導体ベースのガルバニック分離(SGI)溶液のためのタッチ電流(TC)抑制を示した。溶液はそのオン状態中の差動モード(DM)の電力を伝送するための半導体スイッチを利用したガルバニック分離を達成し,一方,コモンモード(CM)分離電圧を維持しそれらのオフ状態におけるCM漏れ電流を阻止した。この解では,スイッチ出力静電容量は,各スイッチング事象でCM電圧による荷電であるとしてTCが得られたと,TCはスイッチング周波数が増加すると上昇し,これはシステム出力密度を制限する。安全基準IEC60950を満たすためにSGIのための多重TC抑制手法をレビューした。これらのアプローチはTC発生を防ぎ,CMインピーダンスを増加させ,TCを含み,TCを部分的に低下させた。それらの中で全ての,スイッチ出力電荷の部分的補償によるTCを低下させ,分散補助電流源回路を用いて実用的である。この手法を検証するために,SGIベースDC/DC段階を持つ単純化されたオフライン電源を構築し,試験した。結果は,TCが効果的に低減できることを示した。も高い電力密度を得るためには,より高いスイッチング周波数で動作するコンバータを可能にし,IEC60950TC要求を満足している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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電力変換器 
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