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J-GLOBAL ID:201702247249736392   整理番号:17A0351870

高出力パルスマグネトロンスパッタリングの放電特性に及ぼすアノードの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Impact of Auxiliary Anode on Discharge Characteristics in High Power Impulse Magnetron Sputtering
著者 (5件):
資料名:
巻: 36  号: 12  ページ: 1422-1430  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2159A  ISSN: 1672-7126  CODEN: CKKSDV  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HIPIMS)に存在する低スパッタリングにおいては,イオンの更なる改善が必要であるという問題を解決するために,補助陽極を増加させることによってHIPIMSのイオンを向上させることが必要である。アノードの電圧,陽極の位置,およびアノードのタイプが,HIPIMSの放電特性に及ぼす影響を研究した。結果は以下を示す。アノード電圧の増加とともに,母材のイオン電流値は徐々に増加し,陽極電圧が90Vのときには,イオン電流は4倍に増加した。陽極の位置が45°から180°に変化するとき,電場の垂直方向における成分が徐々に減少するために,イオン電流は徐々に減少する傾向を示した。また,アノードに拡散型非平衡磁場を付加すると,得られたマトリックスイオン電流値が最大となる。補助陽極が異なる位置にあるとき,AR0,AR(1+),V0およびV(1+)粒子のスペクトル強度は,アノード電圧の増加とともに増加した。陽極が45°の位置にあるとき,種々の粒子のスペクトル線強度が最も著しく増加した。補助陽極の増加により,真空中の各位置における基板のイオン電流は増加し,陽極の位置が45°の場合には増加し,システムのプラズマ密度は3倍に増加した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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その他の無機化合物の薄膜  ,  スパッタリング 

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