酸素空格子点と金属AgフィラメントとAg/ZnO/Pt抵抗スイッチングメモリにおける単極と双極モードの共存【Powered by NICT】

Ma Hanlu; Wang Zhongqiang; Xu Haiyang; Zhang Lei; Zhao Xiaoning; Han Manshu; Ma Jiangang; Liu Yichun

文献

J-GLOBAL ID：201702247257929552 整理番号：17A0352474

酸素空格子点と金属AgフィラメントとAg/ZnO/Pt抵抗スイッチングメモリにおける単極と双極モードの共存【Powered by NICT】

Coexistence of unipolar and bipolar modes in Ag/ZnO/Pt resistive switching memory with oxygen-vacancy and metal-Ag filaments

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資料名：
巻： 25 号： 12 ページ： 127303-1-127303-6 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

本研究では,単極性抵抗スイッチング(URS)特性と双極抵抗スイッチング(BRS)は,Ag/ZnO/Ptメモリ素子における共存であることを実証し,両モードは,成形電圧の極性に強く依存することを観察した。URS及びBRS挙動の機構はそれぞれ酸素空孔(VO)と金属Ag導電性フィラメント(CF)の電場誘起マイグレーションに起因でき,これは両モードで低抵抗状態の温度依存性を調べることにより確認した。さらに,VOとAg CFsに基づいて,これらの二モード間の抵抗スイッチング(RS)特性(例えば,成形及びスイッチング電圧,リセット電流と抵抗状態)を比較した。BRSモードはURSモードより優れたスイッチング均一性と低電力を示した。これらのモードの両方が良好なRS特性,優れたメモリ保持,信頼できる循環と高速スイッチングを示した。結果は単一素子のURS及びBRS挙動の共存は,将来の不揮発性多レベル記憶における大きな応用可能性を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

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著者キーワード (6件)： , , , , ,

半導体集積回路 , 半導体結晶の電気伝導 , 半導体-金属接触

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