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J-GLOBAL ID：201702247556362839   整理番号：17A0214234

低電力と高性能のためのマルチV_Tゲートスタックを用いた10nm FinFET技術の信頼性キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Reliability characterization of 10nm FinFET technology with multi-V_T gate stack for low power and high performance

著者 (13件)： Jin Minjung (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Liu Changze (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Kim Jinju (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Kim Jungin (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Shim Hyewon (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Kim Kangjung (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Kim Gunrae (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Lee Soonyoung (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Uemura Taiki (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Chang Man (SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  An Taehyun (SRD Center, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Park Junekyun (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771) ,  Pae Sangwoo (S.LSI Business, Samsung Electronics, Gi-Heung, Korea, 446-771)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 15.1.1-15.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10nm FinFETプロセス技術の信頼性評価を報告した。仕事関数工学によるマルチV_Tを用いたによるユニークな信頼性挙動を示した。固有B TI,H CIとTDDBは14nmノード対達成可能であると考えられる,異なるV_Tタイプのトランジスタは外因性問題を示さない,異なるVmaxを支持することができた。スケール背が高く,狭いフィン形状はH CI PMOSとオン状態TDDBを増強するトランジスタ自己加熱を増加させるが,さらにモデル[1]と検証されたACモードを含む現実的な回路動作で軽減できることを示す。SERを含むSRAMと製品信頼性結果も目標を超えた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  トランジスタ ,  フィン ,  SRAM ,  仕事関数 ,  *信頼性
準シソーラス用語： 自己加熱 ,  オン状態 ,  PMOS構造 ,  TDDB ,  信頼性評価 ,  *FinFET ,  *ゲートスタック ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低電力 ,  高性能 ,  マルチ ,  ゲートスタック ,  FinFET ,  キャラクタリゼーション