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J-GLOBAL ID：201702247620178489   整理番号：17A0057827

超しきい値と近/サブしきい値応用のためのモノリシック3D MoS_2n/WSe_2p SRAMセルの安定性最適化【Powered by NICT】

Stability optimization of monolithic 3-D MoS₂-n/WSe₂-p SRAM cells for superthreshold and near-/sub-threshold applications

著者 (3件)： Yu Chang-Hung (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Su Pin (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan) ,  Chuang Ching-Te (Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： S3S  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2とWSe_2(図1(a))のような二次元遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,それらの原子スケール厚さ,適切なバンドギャップ,および元の表面(ダングリング結合のない)により,将来最終的にスケーリングされた低電力CMOSデバイスのための非常に魅力的な[1 3]。著者らの以前の研究[4]をプレーナ技術を用いMoS_2n/WSe_2p SRAMの安定性を評価した。しかし,n/pFETのための異なる材料の異種集積化のプロセスの複雑さが問題となる可能性がある。モノリシック3D統合[5]は明確な層でn-FETとp-FETを最適化するため独立に可能性を提供する。も[6]想定に極端にスケールしたTMDデバイスと組み合わせたモノリシック3D統合は将来の超高密度ICとSRAM(Fig.1(c))のための究極の解決策を提供する可能性があることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プレーナ技術 ,  *SRAM ,  バンドギャップ ,  *最適化 ,  二次元 ,  *三次元
準シソーラス用語： 高密度 ,  CMOSメモリ ,  低電力化 ,  原子スケール ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (8件)： しきい値 ,  サブしきい値 ,  応用 ,  3D ,  SRAM ,  セル ,  安定性 ,  最適化