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J-GLOBAL ID：201702247828759806   整理番号：17A0850694

InAs/GaSb超格子に基づくSiO_2~-不動態化したフォトダイオードの暗電流機構とスペクトル応答【Powered by NICT】

Dark current mechanisms and spectral response of SiO₂-passivated photodiodes based on InAs/GaSb superlattice

著者 (5件)： Peng Ruiqin (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Jiao Shujie (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Jiang Dongwei (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Li Hongtao (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China) ,  Zhao Liancheng (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, PR China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 629  ページ： 55-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2不動態化したタイプII超格子二重ヘテロ構造フォトダイオードの電気的性能を実証した。不動態化していない試料と比較して,4.009×10~ 5cm~2の暗電流と零バイアス電圧で165.82Ωcm~2の対応する微分抵抗-面積は77Kで達成された。暗電流の温度依存性とバイアス依存を実験的に研究した。当てはめた結果によれば,SiO_2不動態化層の存在は,界面,生成-再結合及びトラップ支援トンネル電流に影響するにおけるバンドの曲がりを変化させ,それは全暗電流はSiO_2不動態化技術を導入することにより減少することを示した。77Kで,試料の対応するスペクトル応答性と検出感度は, 50mVのバイアス電圧で測定し,100%カットオフ波長は10.6μm,実験データの温度依存性のシミュレーション結果と良く適合すると決定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度依存性 ,  *不動態化 ,  *ヒ化インジウム ,  バイアス ,  *フォトダイオード ,  *アンチモン化ガリウム ,  界面 ,  *暗電流 ,  波長 ,  *超格子
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  微分抵抗 ,  バイアス電圧 ,  ヘテロ構造 ,  *スペクトル応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InAs/GaSb ,  不動態化 ,  暗電流 ,  機構

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  不動態化 ,  フォトダイオード ,  暗電流 ,  スペクトル応答