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J-GLOBAL ID：201702247846301579   整理番号：17A0666079

7nm技術ノードを超えてスケーリングのための傾斜イオン注入によるサブリソグラフィーパターン形成【Powered by NICT】

Sub-lithographic Patterning via Tilted Ion Implantation for Scaling Beyond the 7-nm Technology Node

著者 (7件)： Zheng Peng (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Kim Sang Wan (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Connelly Daniel (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Kato Kimihiko (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Ding Fei (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA) ,  Rubin Leonard (Axcelis Technologies, Beverly, MA, USA) ,  Liu Tsu-Jae King (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 231-236  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 傾斜イオン注入(TII)はより小さい寸法とより小さなピッチの特徴を形成するために基板の表面に及ぼす既存のマスキング特性に関連して使用できる。本論文では,このサブリソグラフィーパターン形成手法の分解能限界は実験とモンテカルロ法シミュレーションにより検討した。TIIは既存のマスキング特徴のラインエッジ粗さを自己整合的に,高い忠実度で再現する10nm以下のサイズの特徴を定義できることを示した。は比較的低い関連プロセスコストを持っているので,TII増強パターン形成は7nm技術ノード以降の集積回路の大量製造を前進させる有望なアプローチである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分解能 ,  自己整合 ,  *イオン注入 ,  モンテカルロ法 ,  集積回路 ,  *パターン形成 ,  シミュレーション ,  マスキング
準シソーラス用語： ラインエッジ粗さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ノード ,  スケーリング ,  イオン注入