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J-GLOBAL ID：201702248326255577   整理番号：17A0171576

新しい種類のシリコンウエハの電気試験図形の故障解析方法を提案した。【JST・京大機械翻訳】

Failure Analysis Method for New Designed Wafer Electrical Test Pattern

著者 (4件)： Hong Haiyan (CSMC Technologies Corporation) ,  Xu Li (CSMC Technologies Corporation) ,  Zhou Hao (CSMC Technologies Corporation) ,  Xu Haitao (CSMC Technologies Corporation)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 10  ページ： 794-799  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 新しい多孔性複合シリコンウエハ試験(WET)構造に対して、結合技術を用いてビームによる電気抵抗変化(変換)欠陥隔離設備を結合し、チップの異常構造を定位した。その後、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、平面剥離後のサンプルに対して表面観察を行い、集束イオンビーム(FIB)切断装置と透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて、チップに対して更なる断面構造の物理分析を行い、チップの性能異常をもたらす原因を確定した。同じ試験条件を必要とする金属電極を手動で接合し,プリント基板(PCB)またはリードフレームの同じ電極に接続し,電気性能測定時に実際に必要とされる金属接点の数を低減した。特徴寸法が0.11ΜMの論理回路故障製品の二つのWETパラメータの失効の根本原因を確定した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： リードフレーム ,  多孔性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電気特性 ,  *電気試験 ,  論理回路 ,  走査電子顕微鏡 ,  プリント基板 ,  *故障解析 ,  *故障 ,  集束イオンビーム
準シソーラス用語： 金属電極 ,  隔離 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： manual bonding ,  wafer electrical test (WET) ,  failure analysis ,  defect isolation ,  critical dimension

分類 (9件)： 腐食  (WB03030B) ,  組織的硬化現象  (WB01020C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンウエハ ,  電気試験 ,  図形 ,  故障解析 ,  提案