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J-GLOBAL ID：201702248406033931   整理番号：17A0402819

スパッタしたAuナノ島アレイのプラズモン挙動【Powered by NICT】

Plasmonic behaviour of sputtered Au nanoisland arrays

著者 (6件)： Tvarozek V. (Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Szabo O. (Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Novotny I. (Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Kovacova S. (Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Skriniarova J. (Institute of Electronics and Photonics, FEI STU, Ilkovicova 3, SK-812 19 Bratislava, Slovakia) ,  Sutta P. (New Technologies-Research Centre, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 30614 Plzen, Czech Republic)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 395  ページ： 241-247  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板またはGaをドープしたZnO薄膜上のAuスパッタナノ島アレイ(NIA)の形成の特異性を実証した。形態画像(SEM, AFM)の統計解析は,スパッタリングパワー密度,2~8nmの範囲中の名目上の厚さを決定するに依存してナノ島その様式A_M8~328nm~~2のサイズ(面積)の対数正規分布を示した。Au NIAの選択的多結晶集合組織(111)は,電力密度とアニーリング後に増加した。横方向局在表面プラズモン共鳴(LSPR,透過型UV-vis分光法により評価した)は,名目上の厚さの増加に伴って消光ピーク(Δl≦100nm)の赤方偏移,Au NIAのアニーリング後に青方偏移(Δλ≦ 65nm)を示した。Au NIAのプラズモン挙動は技術的スケーリングパラメータとして公称薄膜厚さを用いてサイズスケーリングの普遍的モデルの修飾によって記述された。ガラス基板と金の間のTi中間接着超薄膜のスパッタリングは,小さい寸法のより明確なAu NIA構造の形成を支援するだけでなくAuナノアイランドの接着を改善した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集合組織 ,  超薄膜 ,  スパッタリング ,  焼なまし ,  プラズマ共鳴 ,  消光 ,  ガリウム ,  *金 ,  赤方偏移 ,  ドーピング ,  *プラズモン ,  青方偏移
準シソーラス用語： 局在表面プラズモン共鳴 ,  ガラス基板 ,  *ナノアイランド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 逐次スパッタリング ,  Auナノ島アレイ ,  局在表面プラズモン共鳴 ,  プラズモン共鳴の普遍的厚さスケール則

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  Au ,  ナノ島 ,  アレイ ,  プラズモン ,  挙動