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J-GLOBAL ID：201702248447345590   整理番号：17A0885699

フレキシブルニッケルドープ酸化亜鉛薄膜トランジスタの特性に及ぼすチャネル層厚さの影響【Powered by NICT】

Effects of Channel Layer Thickness on Characteristics of Flexible Nickel-Doped Zinc Oxide Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Han Dedong (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Huang Lingling (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yu Wen (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Cong Yingying (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Dong Junchen (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Xing (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Yi (Institute ofMicroelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 1997-2000  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングを用いた柔軟なプラスチック基板上の完全に透明な高性能フレキシブルニッケルをドープした酸化亜鉛薄膜トランジスタ(NZO TFTs)を作製した。NZO TFTの性能に及ぼす活性層厚の影響を調べた。チャネル層厚さはNZO TFTの特性に顕著な影響を持つことを見出した。NZO TFTの電気特性は活性チャネル層厚さが71nmの場合,最適化に達し,1pAよりも低いオフ電流,高いオン/オフドレイン電流比2.1×10~9の27.5cm~2V~ 1.s~ 1の高い飽和移動度,67mV/ディケードの鋭いサブしきい値スイング,および1.88Vの低しきい値電圧NZOは将来のフレキシブル透明ディスプレイ素子のための有望な能動チャネル層材料であることを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  電気特性 ,  *酸化亜鉛 ,  移動度 ,  最適化 ,  *薄膜トランジスタ ,  *ドーピング ,  *チャネル ,  *層厚
準シソーラス用語： 透明ディスプレイ ,  閾値電圧 ,  サブ閾値スイング ,  ドレイン電流 ,  オフ電流 ,  高分子基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  チャネル層 ,  厚さ