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J-GLOBAL ID：201702248455406026   整理番号：17A0764943

亜鉛処理Zn(1 x)Mn_xOバルクの電気輸送挙動【Powered by NICT】

The electrical transport behavior of Zn-treated Zn_(1-x)Mn_xO bulks

著者 (5件)： Duan Chao-Yang (Department of Optical Science and Engineering,Fudan University) ,  Ma Bin (Department of Optical Science and Engineering,Fudan University) ,  Wei Fu-Lin (Research Institute of Magnetic Materials, Lanzhou University) ,  Zhang zong-Zhi (Department of Optical Science and Engineering,Fudan University) ,  Jin Qing-Yuan (Department of Optical Science and Engineering,Fudan University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 6  ページ： 2576-2581  発行年： 2009年06月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zn(1 x)Mn_xOバルクを固相反応法により作製した。Zn蒸気処理は,キャリア濃度を調整するために行った。Zn処理したZn(1 x)Mn_xOバルクでは,抵抗の温度依存性と磁気抵抗の磁場依存性の解析は,束縛磁気ポーラロン(BMP)は電気輸送挙動に重要な役割を果たしていることを示した。温度が低温では170K以下のとき,BMPsのホッピングが電気伝導挙動を支配し,常磁性Zn(1 x)Mn_xOバルクは大きな磁気抵抗効果,遷移金属ドープZnO希薄磁性半導体における大きな磁気抵抗効果はそれらの磁気状態に依存しないことを示しているを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホッピング伝導 ,  *エレクトロトランスポート ,  キャリア密度 ,  ドーピング ,  磁気ポーラロン ,  固相反応 ,  *マンガン ,  常磁性 ,  温度依存性 ,  低温 ,  *亜鉛 ,  磁気抵抗効果 ,  磁気抵抗
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  磁場依存性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MnをドープしたZnO ,  X線 ,  抵抗 ,  磁気抵抗

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 亜鉛 ,  Zn ,  バルク ,  電気輸送 ,  挙動