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J-GLOBAL ID：201702248613754369   整理番号：17A0057909

側壁反射法を用いたAlGaN系深紫外発光ダイオードの光抽出の増強【Powered by NICT】

Enhancement of light extraction on AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes using a sidewall reflection method

著者 (7件)： Guo Yanan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhang Yun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Yan Jianchang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Chen Xiang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhang Shuo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Wang Junxi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Li Jinmin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 127-130  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN系深紫外(DUV)発光ダイオード(LED)は重篤な光抽出問題に悩まされている。本研究では,AlGaN系深紫外LEDの光抽出を強化する側壁反射法を報告した。法は,DUV光のためのメサマイクロアレイ設計とオンチップ高反射金属パッドを含んでいる。この方法を用いて278nm LEDは高反射金属パッドを含まないLEDに比べ,光出力(LOP)における30%の改善を示した。マイクロアレイメササイズのLOPと電圧の依存性も調べた。AlGaN系深紫外LEDのLOPは500mAにおいて100mAとほぼ25mWで6.8mWに達することができた。L80寿命は4000時間以上であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  電圧 ,  パッド
準シソーラス用語： 光出力 ,  オンチップ ,  *深紫外線 ,  *深紫外発光ダイオード ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 側壁 ,  AlGaN ,  深紫外発光ダイオード ,  増強