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J-GLOBAL ID:201702248708102731   整理番号:17A0329201

薄い結晶シリコン太陽電池のはんだ付け誘起残留応力に及ぼす相互接続可塑性の影響【Powered by NICT】

Effect of interconnect plasticity on soldering induced residual stress in thin crystalline silicon solar cells
著者 (6件):
資料名:
巻: 2016  号: EPTC  ページ: 734-737  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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~220°Cで銅相互接続のはんだ付けは,結晶シリコン太陽電池の残留応力を誘起する。これらの残留応力は,より薄いシリコン太陽電池(<180μm)亀裂,性能損失と障害をきたすとの関連で有害になる可能性がある。このようなシナリオでは現実的な材料特性を考慮したこれらの残留応力の系統的な評価は,リスクレベルを評価するのに必要である。本研究では,背面接触c-Si太陽電池におけるはんだ付けに誘起された残留応力を,有限要素シミュレーションを用いて評価した。細胞残留応力に及ぼす銅相互接続の可塑性の影響を調べた。相互接続とはんだの線形弾性材料特性は,細胞ストレスを予測することができると,弾塑性材料特性は,現実的な予測のために必要であることが観察された。シミュレートされた応力も有限要素モデルを検証するために,セルの厚さ180μmのシンクロトロンX線回折実験の結果と比較した。さらに電流はんだ付けプロセスにおける薄肉化細胞のリスクを評価するために残留応力はシリコン太陽電池の厚さの関数として評価した。これらの結果は,高い残留応力を緩和するためのはんだ付けと相互接続パラメータの最適化を可能にすることが期待され,それにより細胞骨折。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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