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J-GLOBAL ID：201702248778045574   整理番号：17A0776032

p a Si:H/n C Si/n +a-Si:Hヘテロ接合太陽電池の裏面電界の影響のシミュレーション解析【Powered by NICT】

Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell

著者 (6件)： Hu Yuehui (Jingdezhen Ceramics Institution) ,  Zhang Xiangwen (Jingdezhen Ceramics Institution) ,  Qu Minghao (Jingdezhen Ceramics Institution) ,  Wang Lifu (Jingdezhen Ceramics Institution) ,  Zeng Tao (Jingdezhen Ceramics Institution) ,  Xie Yaojiang (Jingdezhen Ceramics Institution)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 6  ページ： 68-71  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： pドープ非晶質シリコン(p a Si:H)/n型ドープ結晶シリコン(n c Si)太陽電池の性能に及ぼす裏面電界(BSF)の影響を調べるために,p-a-Si H/nc Si/n +a-Si:H構造を持つヘテロ接合太陽電池を設計した。n +a-Si:H膜は,BSFとしてncSiウエハの背面上に堆積した。p-a-Si:H/n C Si/n +a-Si:H太陽電池の光起電力性能をシミュレートした。p-a-Si:H/n C Si/n +a-Si:H太陽電池のBSFは界面状態に起因する電池性能の低下を効果的に抑制できることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  表面準位 ,  アモルファスシリコン ,  *電場 ,  *太陽電池 ,  *ヘテロ接合 ,  *シミュレーション ,  光起電力
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  電池性能 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： p-n-n+太陽電池 ,  ヘテロ接合 ,  裏面場 ,  計算機シミュレーション

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  電界 ,  シミュレーション解析