文献
J-GLOBAL ID:201702248835212711   整理番号:17A0449584

シンクロトロンX線微小回折によるカプセル化した薄いシリコン太陽電池における応力プロービングと破壊機構【Powered by NICT】

Probing stress and fracture mechanism in encapsulated thin silicon solar cells by synchrotron X-ray microdiffraction
著者 (10件):
資料名:
巻: 162  ページ: 30-40  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
薄い(<150μm)シリコン太陽電池技術は,関連する大幅コスト削減により魅力的である。その結果,はんだ付けと積層中の薄いシリコン太陽電池の破壊機構を製造と現場作業における実装太陽光発電(PV)システムを可能にするために完全に定量的に理解する必要がある。シンクロトロンX線ミクロ回折(μSXRD)を,薄いシリコン太陽電池の破壊機構(開始,伝搬及び傾向)の駆動力である機械的応力を定量的に非常に有効な手段であることが証明され,それらは既にカプセル化されている場合。本論文では,カプセル化された薄いシリコン太陽電池における最初のストレス検査を提示し,種々の高分子封止材によってカプセル化された同一シリコン太陽電池を積層プロセス後非常に異なる残留応力を持つことができたかを名目的に示した。異なるエチレン-酢酸ビニル(EVA)材料によってカプセル化された同一シリコン太陽電池内で非常に異なる破壊速度の,Sanderら(2013)[1]により報告された,以前の観察は約来たかを知ることは困難である,されていない。ラミネーションプロセス後のシリコン太陽電池の残留応力の完全な二次テンソル成分も残留応力測定のためのだけでなく,薄膜シリコン太陽電池内の他の潜在的機械的損傷を測定するための本論文で報告したシンクロトロンX線微小回折法の完全かつ独特の能力を意味した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る