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J-GLOBAL ID：201702248838777204   整理番号：17A0793827

in situ TEM研究によるHfO_2~ベース抵抗ランダムアクセスメモリにおけるスイッチング過程におけるナノフィラメント発展の直接観察【Powered by NICT】

Direct Observations of Nanofilament Evolution in Switching Processes in HfO₂-Based Resistive Random Access Memory by In Situ TEM Studies

著者 (15件)： Li Chao (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Gao Bin (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Yao Yuan (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Guan Xiangxiang (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Guan Xiangxiang (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China) ,  Shen Xi (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Wang Yanguo (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Huang Peng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Lifeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Liu Xiaoyan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Li Junjie (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Gu Changzhi (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Kang Jinfeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Yu Richeng (Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Yu Richeng (School of Physical Sciences, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, P. R. China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201602976  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2における抵抗スイッチング過程を電子線ホログラフィーとin situエネルギーフィルタイメージングにより研究した。結果は,酸素空格子点が傾斜電気バイアス下の酸化物層に発生したし,最終的に二電極を接続するいくつかの導電性チャネルを形成することを示した。スイッチング過程はハフニア層の上部界面で起こることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  電極 ,  *スイッチング ,  界面 ,  導電性 ,  バイアス ,  酸化物層 ,  酸素空格子点 ,  電子線ホログラフィー ,  抵抗スイッチング ,  *ナノフィラメント ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： エネルギーフィルタ ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子ホログラフィー ,  エネルギーフィルタ像 ,  in situ TEM ,  酸素空格子点 ,  抵抗スイッチング

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (7件)： TEM ,  研究 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  スイッチング ,  過程 ,  ナノフィラメント ,  発展