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J-GLOBAL ID：201702249312484845   整理番号：17A0074533

SNドープ型太陽電池薄膜のドーピング改質研究【JST・京大機械翻訳】

Doping Modification of Stannic Perovskite Based Thin Films for Solar Cell Applications

著者 (9件)： Tan Manlin (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Yang Shuai (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Ma Qing (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Fu Dongju (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Li Dongshuang (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Wang Xiaowei (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Zhang Weili (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Chen Jianjun (Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen) ,  Zhang Huayu (Harbin Institute of Technology Shenzhen Graduate School)
資料名： Wuji Huaxue Xuebao  (Wuji Huaxue Xuebao)
巻： 32  号： 9  ページ： 1565-1571  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2431A  ISSN： 1001-4861  CODEN： WHUXEO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： CH_3NH_3SNI_3とPBのCH_3NH_3PBI_3ペロブスカイト太陽電池薄膜を,一段階法によって調製し,その表面形態,微細構造,吸収スペクトル,および電池性能を特性評価した。研究結果は以下を示す。SNペロブスカイト材料の吸収スペクトルはPBPB材料に対して明らかな赤方偏移を示し、吸収遮断波長は800NMから950NMに増加し、光学バンドギャップは1.45EVから1.21EVに低下した。SN吸収材のスペクトル吸収範囲は明らかに拡大したが、吸収強度は低下し、対応する太陽電池デバイスの光電変換効率もPBPB太陽電池より明らかに低く、それぞれ2.05%と6.71%であった。しかし,BRのドーピングにより,SNバンドギャップのバンドギャップが広くなり,吸収光子エネルギーが増加し,また,デバイスの開路電圧も増加した。BR含有量が0から完全にIに置換されると,SNはペロブスカイトから黄色に変化し,光学バンドギャップは1.95EVに増加したが,吸収波長は950NMから650NMに低下した。BR含有量が0.5のとき,電池デバイスの光電変換効率は最初の2.05%から2.94%に向上することが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電池 ,  光学ギャップ ,  バンドギャップ ,  赤方偏移 ,  *太陽電池 ,  吸収体 ,  吸収スペクトル ,  波長 ,  スペクトル ,  キャラクタリゼーション ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  光電変換効率 ,  電池性能 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： perovskite solar cell ,  stannic perovskite ,  doping modification

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： Sn ,  ドープ ,  太陽電池 ,  薄膜 ,  ドーピング ,  改質 ,  研究