文献

J-GLOBAL ID：201702249354901985   整理番号：17A0445177

高キャリア移動度を有するp型透明SnO単分子層の電子特性【Powered by NICT】

Electronic characteristics of p-type transparent SnO monolayer with high carrier mobility

著者 (6件)： Du Juan (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Xia Congxin (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Liu Yaming (Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China) ,  Li Xueping (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Peng Yuting (Department of Physics, University of Texas at Arlington, TX 76019, USA) ,  Wei Shuyi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 401  ページ： 114-119  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より最近では,二次元(2D)SnOナノシートは,その優れたキャリア移動度と透明特性のため,大きな注目を付着した。,SnO単分子層の安定性,電子構造およびキャリア移動度を,第一原理計算を用いて研究した。フォノン分散スペクトルの計算はSnO単分子層が動的に安定であることを示した。,引張歪が0%から12%に印加した場合,バンドギャップ値は3.93eVから2.75eVに減少した。興味深いことに,SnO単分子層は正孔移動度641cm~2V~ 1s~ 1のp型透明半導体酸化物,MoS_2単分子層のそれよりもかなり高かった。これらの知見は,SnO単分子層は,ナノエレクトロニクス素子への応用のための有望な2D材料となるものにしている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単分子層 ,  酸化物 ,  バンドギャップ ,  二次元 ,  フォノン分散 ,  単原子層 ,  スペクトル ,  *キャリア移動度 ,  半導体 ,  電子構造 ,  ナノシート
準シソーラス用語： ナノエレクトロニクス ,  正孔移動度 ,  引張歪 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SnO ,  単原子層 ,  p型 ,  キャリア移動度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： キャリア移動度 ,  単分子層 ,  電子