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J-GLOBAL ID：201702249359260829   整理番号：17A0206218

Pdドープ超伝導体SrPt3Pにおける不純物散乱効果【Powered by NICT】

Impurity scattering effect in Pd-doped superconductor SrPt3P

著者 (9件)： Hu Kangkang (Shanghai University) ,  Gao Bo (Shanghai Center for Superconductivity, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Ji Qiucheng (Shanghai Center for Superconductivity, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Ma Yonghui (Shanghai Center for Superconductivity, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Hui (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences) ,  Mu Gang (Shanghai Center for Superconductivity, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Fuqiang (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences) ,  Cai Chuanbing (Shanghai University) ,  Xie Xiaoming (Shanghai Center for Superconductivity, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wulixue Qianyan  (Wulixue Qianyan)
巻： 11  号： 4  ページ： 117403_01-117403_05  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2648A  ISSN： 2095-0462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超伝導体SrPt_3PにおけるPdドーパントにより誘起された不純物散乱効果の系統的研究を提示した。固相反応法を用いて,Pdをドープした超伝導体Sr(Pt(1 x)Pd_x)3Pを作製した。残留抵抗ρ_0はPdドーピングとともに急速に増加することを見出し,一方,残留抵抗比(RRR)は劇的な減少を示した。さらに,Hall抵抗率ρ(xy)の非線形磁場依存挙動と低温でのHall係数R_Hの強い温度依存性はPdドーピングによって抑制された。全ての実験結果は,ドーピングにより誘起された不純物による散乱の増加によって説明することができた。著者らの結果は,Pt部位である本システムにおけるキャリア伝導に非常に重要であることを示唆した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *超伝導体 ,  温度依存性 ,  固相反応 ,  磁場 ,  *不純物 ,  残留抵抗 ,  低温 ,  *パラジウム ,  キャリア ,  高速度 ,  *ドーピング ,  ドーパント
準シソーラス用語： Hall係数 ,  Hall抵抗 ,  *不純物散乱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 不純物散乱効果 ,  SrPt_3P ,  superconductors

分類 (2件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pd ,  ドープ ,  超伝導体 ,  不純物散乱