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J-GLOBAL ID:201702249433227073   整理番号:17A0204955

進行B JTモデルと標準SPICE要素を用いたコンパクトなSCRモデル【Powered by NICT】

A compact SCR model using advanced BJT models and standard SPICE elements
著者 (5件):
資料名:
巻: 59  号: 10  ページ: 109401_01-109401_03  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2579A  ISSN: 1674-733X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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シリコン制御整流器(SCR)は静電気放電(ESD)と電気的過剰ストレス(EOS)損傷[1]から集積回路(IC)を保護するために広く用いられている。正確なSCRモデルは,オンチップESD保護設計において極めて望ましいことである。以前の研究は,従来のバイポーラ接合トランジスタ(BJT)モデルを集約し,従来のB JTモデルは[2,3]支持できないことを余分な物理モデルを加えることによりSCRをモデル化した。しかし補助モデルは大部分が複雑でVerilog-Aのような行動言語の開発に多くの努力が必要である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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サイリスタ 
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