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J-GLOBAL ID：201702249458220023   整理番号：17A0471032

SiO_2~-Co膜における電気的に制御された抵抗と磁気抵抗【Powered by NICT】

Electrically-controlled resistance and magnetoresistance in a SiO₂-Co film

著者 (14件)： Li Xiaoli (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Li Xiaoli (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Li Yanchun (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Li Yanchun (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Shi Yana (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Shi Yana (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Du Fanfan (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Du Fanfan (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Bai Yuhao (College of Physics and Electronic Information, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Bai Yuhao (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Quan Zhiyong (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Quan Zhiyong (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Xu Xiaohong (Key Laboratory of Magnetic Molecules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education and School of Chemistry and Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China) ,  Xu Xiaohong (Research Institute of Materials Science, Shanxi Normal University, Linfen 041004, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 194  ページ： 227-230  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt底部電極とAu上部電極を有するSiO_2~-Co膜は室温でマグネトロンスパッタリングにより堆積した。試料はバイポーラ抵抗スイッチング特性を示した。SiO_2~-Co膜中の酸素空格子点とCoナノ粒子の両方は,抵抗スイッチング特性と導電性フィラメントの形成に寄与している。,高抵抗状態と低抵抗状態で,試料を300Kと10Kで磁気抵抗を示した;SiO_2障壁を通るCo粒子間のスピン依存トンネル効果に起因する可能性がある。このように,簡単なPt/SiO_2~-Co/Au構造における抵抗スイッチングと磁気抵抗の組み合わせは,多剤耐性状態の形成,多状態不揮発性貯蔵の将来の応用のための有望なをもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多剤耐性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  非揮発性 ,  トンネル効果 ,  *磁気抵抗 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 導電性フィラメント ,  抵抗スイッチング ,  酸素空格子点 ,  スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： マグネトロンスパッタリング ,  抵抗スイッチング ,  磁気抵抗

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： CO ,  磁気抵抗