レーザ支援分子ビームエピタクシーにより低温成長させたホモエピタキシャルGaNナノウォールネットワークにおける量子閉じ込め効果【Powered by NICT】

Kushvaha S.S.; Ramesh Ch.; Ramesh Ch.; Tyagi Prashant; Tyagi Prashant; Shukla A.K.; Yadav B.S.; Dilawar N.; Maurya K.K.; Senthil Kumar M.

文献

J-GLOBAL ID：201702249473700511 整理番号：17A0473263

レーザ支援分子ビームエピタクシーにより低温成長させたホモエピタキシャルGaNナノウォールネットワークにおける量子閉じ込め効果【Powered by NICT】

Quantum confinement effect in low temperature grown homo-epitaxial GaN nanowall network by laser assisted molecular beam epitaxy

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資料名：
巻： 703 ページ： 466-476 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

垂直によく整列したホモエピタキシャルGaNナノウォールネットワーク(NWN)はレーザ支援分子ビームエピタクシー(LMBE)によりc-サファイア上に有機金属化学気相堆積した3.5μm厚さのGaN(0001)上に成長させた。壁幅8 12nm,細孔サイズ~100 200nmのハニカムGaN NWNは600°Cの低い成長温度で得られた。光ルミネセンス(PL)分光法で測定した光学的性質は,GaN NWNの近バンド端(NBE)発光~100meVの青方偏移を示した。さらに,GaN NWNの温度依存性(90 300 K)PL測定は,Varshniの温度依存エネルギーギャップ関係に従うについて検討した。500°Cで純粋および湿式エッチングLMBE成長させたホモエピタキシャルGaN薄膜の構造及び光学特性も調べ,比較してGaN NWN構造であった。X線光電子分光法研究は,GaNナノウォールのGaリッチ性質と共に膜と比較してNWNの表面バンド曲がりの有意な減少を確認した。GaN NWNのKOH湿式エッチングは,壁幅は6 10nmに減少し,PL発光GaN NWN構造における量子サイズ効果の実現を確認NBEの120meVの青方偏移を示すことが分かった。低温成長させたGaN NWN構造は光抽出と素子効率の増強のための発光ダイオードと太陽電池に統合できる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体のルミネセンス , 固体デバイス製造技術一般 , 半導体の結晶成長 , 半導体薄膜

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