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J-GLOBAL ID：201702249773117576   整理番号：17A0448928

V族とVII原子をドープしたWSe_2単分子層の特性【Powered by NICT】

Characters of group V and VII atoms doped WSe₂ monolayer

著者 (4件)： Yang Congxia (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Zhao Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Wang Tianxing (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Wei Shuyi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 291-296  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V群によるnおよびp型不純物の電子的および磁気的性質と密度汎関数理論に基づくWSe_2単分子層中のセレンを置換VII原子を調べた。著者らの結果は,N,PおよびAs置換はp型ドーピングとF,Cl,Br,I置換はn型ドーピングを示しているを示した。さらに,V族とVIIのいくつかの原子は磁気モーメントを誘起し,磁気モーメントは主に隣接W原子のドーパントとd軌道のp軌道に起因する。N-,P-,F (またはBr)WSe_2は磁性ナノ材料(または磁性金属)特徴,Cl とAsをドープした系は磁性金属とIドープ系半金属(HM)特性を示すを示したを示した。最大の磁気モーメントは,Fをドープした系の0.846μ_Bである。形成エネルギー計算はまた,エネルギー的に好ましいとWリッチ実験条件下でWSe_2単分子層へのV族およびVII原子を取り込むために比較的容易であることを示した。Fドープ系の形成エネルギーは最も低く,次に低い形成エネルギーは,Nドープシステムで得られた。これらの結果は,nおよびpドープWSe_2ナノ構造の特性を理解するのに有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ構造 ,  *ドーピング ,  密度汎関数法 ,  磁気モーメント ,  *単分子層 ,  半金属 ,  セレン ,  ドーパント ,  不純物 ,  ヒ素
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  磁性金属 ,  d軌道 ,  p型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： WSe_2 ,  電子構造 ,  ドープした ,  第一原理

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子 ,  ドープ ,  単分子層