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J-GLOBAL ID：201702249842598434   整理番号：17A0329103

2.5D貫通シリコンインターポーザ(TSI)における高帯域幅相互接続設計の機会【Powered by NICT】

High bandwidth interconnect design opportunities in 2.5D Through-Silicon interposer (TSI)

著者 (7件)： Weerasekera Roshan (University of the West of England in Bristol, UK) ,  Chang Ka Fai (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, 08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Zhang Songbai (Sky-works Solutions, Singapore) ,  Katti Guruprasad (Bank of America for Randstad Technologies, USA) ,  Li Hong Yu (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, 08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Dutta Rahul (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, 08-02 Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Cubillo Joseph Romen (3D Montblanc (http://www.3dmontblanc.com), France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 241-244  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンインターポーザ技術は,パッケージ/PCBレベル接続のためのダイ間通信とシリコン貫通ビア(TSV)のための微細ピッチ相互接続を提供することに複数のシリコン金型の統合を可能にする。,高い帯域幅を必要とするこの技術は論理およびメモリタイプの応用のための実行可能な解決策として同定されている。本論文では,厚い(t=3μm; w/s=3μm/3μm)および薄い(t=1μm; w/s=2μm/2μm)前面ダイ間Cu相互接続と共にシリコン貫通ビア(TSV)を含むチップに基板相互接続を特性化し,それらのデータ転送能力を推定した。ディジタル信号相互接続性能の評価は,最新メモリ技術で期待される最大帯域幅要求を本論文で特性化したシリコンインターポーザ技術により達成できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  通信 ,  データ転送 ,  *帯域幅 ,  *ケイ素 ,  *相互接続
準シソーラス用語： デジタル信号 ,  シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  インターポーザ ,  高帯域幅 ,  相互接続 ,  設計 ,  機会