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J-GLOBAL ID：201702249860530301   整理番号：17A0363832

ゲルマニウムドーピングによるCu_3SbSe_4の増強された熱電特性【Powered by NICT】

Enhanced thermoelectric properties of Cu₃SbSe₄ by germanium doping

著者 (6件)： Chang Chia-Hsiang (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Chang Chia-Hsiang (Graduate Institute of Applied Physics, National Chengchi University, Taipei 116, Taiwan) ,  Chen Cheng-Lung (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Chiu Wan-Ting (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Chen Yang-Yuan (Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan) ,  Chen Yang-Yuan (Graduate Institute of Applied Physics, National Chengchi University, Taipei 116, Taiwan)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 186  ページ： 227-230  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu欠陥を持つGeドープCu_3SbSe_4半導体はそれらの熱電輸送特性調査のための融解とスパークプラズマ焼結により合成した。Ge原子はSb格子サイトを置換し,Ge含有量の増加と共に格子収縮をもたらす可能性がある。Geのドーピングは電気伝導率を改善するだけでなく,Cu_2(Sb_1 xGe_x)Se_4の力率を最適化した。Geドープした試料は,合金化効果および増加したキャリヤー熱伝導率の間の競合を明らかにした。Geドープ合金のzT増強は主に強化された力率と減少した格子熱伝導率に起因した。その結果,Cu_2(Sb_0 0.96Ge_0.04)Se_4は640Kで0.7の最大zTに達し,元のCu_2 0.95SbSe_4のおよそ35%の強化を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱電材料 ,  力率 ,  *銅 ,  熱伝導率 ,  放電プラズマ焼結 ,  最適化 ,  *ドーピング ,  合金 ,  *ゲルマニウム ,  フォノン ,  合金化 ,  電気伝導率
準シソーラス用語： 格子熱伝導率 ,  輸送特性 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 熱電材料 ,  Semiconductors ,  焼結 ,  フォノン ,  ゲルマニウムドーピング

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  ろう付  (WC07050C) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲルマニウム ,  ドーピング ,  増強 ,  熱電特性