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J-GLOBAL ID：201702250053073483   整理番号：17A0703308

Pb修飾シリセンにおけるσ-π結合により誘起されたスピン-軌道分裂の強い増大【Powered by NICT】

Strong enhancement of spin-orbit splitting induced by σ-π coupling in Pb-decorated silicene

著者 (4件)： Li Tongwei (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, China. [e-mail]) ,  Su Xiangying ,  Li Haisheng ,  Ju Weiwei
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 19  ページ： 11761-11767  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の被覆率でのCu,Ag,Au及びPb原子を吸着したシリセンの電子特性とスピン-軌道(SO)分裂を第一原理計算によって研究した。吸着原子は,研究の全四種類は中空サイトに吸着する傾向がある。Pb原子の吸着はシリセンにおけるFermi準位付近のσ電子とπ電子のハイブリダイゼーションを促進し,かなりのSO分裂(~100 meV)をもたらした。SO分裂のわずかのみがNMシリセン(NM貴金属原子,すなわちCu,Ag,およびAu)システムで達成された。著者らの結果は,σ-π結合はシリセンにおけるSO結合の増強のための非常に重要な因子であることを示唆した。濃度と吸着原子の固有SO結合もこれらの系におけるSO分裂に影響するであろう。我々が研究したすべての構造は室温で安定であった。著者らの研究は,二次元材料におけるSO結合を増強する物理的機構の必須理解を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元 ,  *鉛 ,  π電子 ,  計算 ,  分子ハイブリダイゼーション ,  貴金属 ,  被覆率 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  第一原理計算 ,  *π結合 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pb ,  修飾 ,  シリセン ,  π結合 ,  誘起 ,  スピン ,  軌道