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J-GLOBAL ID：201702250247804094   整理番号：17A0832605

電子的および磁気的性質に及ぼすけい素原子ドーピングphagrapheneナノリボンの影響【Powered by NICT】

The influence of silicon atom doping phagraphene nanoribbons on the electronic and magnetic properties

著者 (5件)： Liu Yunjin (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, Shan Xi, PR China) ,  Chen Zheng (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, Shan Xi, PR China) ,  Hu Shi (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, Shan Xi, PR China) ,  Yu Genggeng (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, Shan Xi, PR China) ,  Peng Yingying (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, Shan Xi, PR China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 220  ページ： 30-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理アプローチに基づいて,構造的,電子的および磁気的性質を異なる端をもつと,純粋およびSiドープphagrapheneナノリボン(PHAGNRs),ジグザグエッジ(ZPHAGNR)および混合端(MPHAGNR)を含む系統的に調べた。ケイ素原子はPHAGNRsの5 6 7環上の異なる炭素原子を置換するときの幾何学的構造は劇的に変化した。形成エネルギーの計算は,ケイ素原子は常にエッジ位置,6MPHAGNR,4ZPHAGNRの両方で七角形炭素環の炭素原子を置換していることを示した。更なる研究は,SiドーピングはPHAGNRsの電子的および磁気的性質を調整できることを明らかにし,バンドギャップと磁気モーメントの大きさはドーピング位置に大きく依存する。に加えて,ドーピングはMPHAGNRの間接バンドギャップ半導体への直接バンドギャップ半導体を移動させ,ZPHAGNRのFermi準位付近のバンド構造を分離することができる。さらに,PHAGNRsにおけるドーピングシリコン原子の最大の利点は,不純物エネルギー準位を導入しないことである。これら全ては,将来のPHAGNRsに基づく電子および磁気ナノデバイスを設計するための手法を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  第一原理 ,  *磁気的性質 ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  *ケイ素 ,  磁気モーメント ,  Fermi準位 ,  炭素 ,  *磁気
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  直接バンドギャップ ,  間接バンドギャップ ,  形成エネルギー ,  *ナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Phagrapheneナノリボン ,  第一原理 ,  Siドープ ,  電子的および磁気的性質 ,  半導体

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子 ,  磁気的性質 ,  けい素原子 ,  ドーピング ,  ナノリボン