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J-GLOBAL ID：201702250350467067   整理番号：17A0275772

2Wゲートドライバ電源のための2比較代替高温PCB埋込み変圧器設計【Powered by NICT】

Two comparison-alternative high temperature PCB-embedded transformer designs for a 2 W gate driver power supply

著者 (8件)： Sun Bingyao (Center for Power Electronics Systems, The Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Burgos Rolando (Center for Power Electronics Systems, The Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Boroyevich Dushan (Center for Power Electronics Systems, The Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Tech, Blacksburg, USA) ,  Perrin Remi (Ampere lab, INSA Lyon, Univ. Lyon, Lyon, France) ,  Buttay Cyril (Ampere lab, INSA Lyon, Univ. Lyon, Lyon, France) ,  Allard Bruno (Ampere lab, INSA Lyon, Univ. Lyon, Lyon, France) ,  Quentin Nicolas (Ampere lab, INSA Lyon, Univ. Lyon, Lyon, France) ,  Ali Marwan (Ampere lab, INSA Lyon, Univ. Lyon, Lyon, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNとSiCより一般的になりつつに基づく高速パワー半導体デバイスでは,改善された駆動回路が必要である。分離ゲート駆動電源の小さい相互巻線静電容量と変圧器は補助源に電力変換器からの伝導性EMI放射を低減する助けとなる。本論文では,高速スイッチングデバイスへの小容量,低電力損失とゲート駆動電源の小分子間静電容量をもつ変圧器を示し,GaNH EMTとSiC MOSFETである。変圧器コアは集積密度を増大するためにPCBに埋め込んだ。二つの異なる変圧器設計,コプレーナ巻線PCBに埋め込まれた変圧器とトロイダルPCBに埋め込まれた変圧器,を提示し,比較した。前者は0.8pF間静電容量を持ち,後者は73W/in~3パワー密度の85%の効率を有していた。両設計とも,ワイドバンドギャップデバイス,200°Cの周囲温度で動作する2Wゲート駆動電源に専用化されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング素子 ,  高速度 ,  静電容量 ,  *変圧器 ,  電力変換器 ,  窒化ガリウム ,  駆動回路 ,  導電性 ,  炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  巻線 ,  *高温
準シソーラス用語： 周囲温度 ,  電力密度 ,  電力損失 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 変圧器  (NB08020Q) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  ドライバ ,  代替 ,  PCB ,  埋込み ,  変圧器 ,  設計