文献

J-GLOBAL ID：201702250434856568   整理番号：17A0702806

完全平面四配位炭素を持つ新しいBeC単分子層の予測【Powered by NICT】

Prediction of a new BeC monolayer with perfectly planar tetracoordinate carbons

著者 (4件)： Liu Chun-Sheng (Key Laboratory of Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhu Hao-Hao ,  Ye Xiao-Juan ,  Yan Xiao-Hong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 5854-5858  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,二次元ナノ構造における平面超配位炭素を探索に関心が高まっている。しかし,理想的平面ハイパー配位炭素原子と単分子層は外来モチーフを安定化する困難さの故に非常に稀である。大域的粒子群最適化法を用いた大域的最小二次元BeC単分子層を予測した。各炭素が同一平面に周辺四原子に結合し,完全に平面四配位炭素部分を形成した。凝集エネルギー,フォノンスペクトルと機械的安定性基準は,単分子層BeCの安定性を確認した。さらに,BeC単分子層は大きな面内剛性(145.54 N m~ 1)と熱力学的安定性(2000Kまで)を有していた。BeCはバンドギャップが1.01eVの間接半導体であり,例外的に高いキャリア移動度(~10~4 cm~2 V~ 1 s~ 1)を有する,エレクトロニクスとフォトエレクトロニクスにおける応用に適した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  剛性 ,  *単分子層 ,  キャリア移動度 ,  凝集エネルギー ,  熱力学的安定度 ,  二次元 ,  電子技術 ,  バンドギャップ ,  ナノ構造 ,  機械的安定性 ,  フォノンスペクトル ,  粒子群最適化 ,  機械的性質

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭素 ,  単分子層 ,  予測