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J-GLOBAL ID：201702250472714005   整理番号：17A0825170

オンウエハ雑音測定のための雑音因子の直接抽出【Powered by NICT】

Direct Deembedding of Noise Factors for On-Wafer Noise Measurement

著者 (5件)： Chen Xuesong (Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, Hamilton, ON, Canada) ,  Chen Chih-Hung (Department of Electrical and Computer Engineering, McMaster University, Hamilton, ON, Canada) ,  Lee Ryan (United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen David C. (United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu D. Y. (United Microelectronics Corporation, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 65  号： 3  ページ： 916-922  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,受動四ポートによって囲まれた能動素子の雑音因子の直接分離埋込みを可能にする線形回路網の雑音理論を拡張した。雑音因子回路のデインベディングの問題を解決する,本装置での試験の出力と入力の間のフィードバック経路がある。も回路のデインベディング最初と最適化は,過去実施によるオンウエハ雑音測定のための固有雑音パラメータを得るための新しいアプローチをもたらした。雑音因子分離埋込みアルゴリズムの検証は,理想化されたデータを用いて実施した,新しい雑音パラメータ回路のデインベディングアプローチの評価はマイクロエレクトロニクス社の日と90nm CMOS技術で作製したn型MOSFETの実験データを用いて行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,  最適化 ,  *雑音測定 ,  CMOS ,  線形回路 ,  *雑音 ,  MOSFET ,  雑音理論 ,  アルゴリズム ,  ポート ,  フィードバック
準シソーラス用語： 雑音パラメータ ,  能動素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  雑音測定  (ND04030F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 雑音測定 ,  雑音 ,  因子