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J-GLOBAL ID：201702250923489520   整理番号：17A0214210

多結晶シリコンチャネルトラップは3D NANDフラッシュセルストリングにおける過渡リード不安定性を誘導する【Powered by NICT】

Polycrystalline-silicon channel trap induced transient read instability in a 3D NAND flash cell string

著者 (11件)： Tsai Wen-Jer (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lin W. L. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Cheng C. C. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Ku S. H. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chou Y. L. (Dept. of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Liu Lenvis (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Hwang S. W. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lu T. C. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Chen K. C. (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Wang Tahui (Dept. of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.) ,  Lu Chih-Yuan (Macronix International Co., No. 16, Li-Hsin Road, Science Park, Hsin-Chu, Taiwan, R.O.C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 11.3.1-11.3.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D NANDストリングの多結晶シリコン(ポリSi)チャンネルにおける粒界トラップ(GBT)によるVt不安定性を包括的に研究した。実験結果は,GBTのトラッピング/脱トラッピングは10以上の時定数を用いた一時的なセル電流を引き起こすであろうことを明らかにし,この遷移はバイアスの履歴に強く影響される。プログラム/消去verify(PV/EV)とリード(RD)の間のセンシングオフセットは感知マージンを低下させることを電荷損失/利得「擬似」をもたらした。修正EV,PV,またはRDバイアス方式はこの効果を緩和することが示唆された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  電流 ,  *三次元 ,  結晶粒界 ,  バイアス ,  利得 ,  *不安定性 ,  時定数 ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： トラッピング ,  *NAND , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 多結晶シリコン ,  チャネル ,  トラップ ,  3D ,  NANDフラッシュ ,  セル ,  リード ,  不安定性 ,  誘導