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J-GLOBAL ID：201702251097001271   整理番号：17A0522165

Ga(NAsP)/GaP多重量子井戸におけるフォトルミネセンス線形の励起依存性:実験とモンテカルロシミュレーション

Excitation dependence of the photoluminescence lineshape in Ga(NAsP)/GaP multiple quantum well: experiment and Monte-Carlo simulation

著者 (8件)： VALKOVSKII V V (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  SHAKFA M K (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  JANDIERI K (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  LUDEWIG P (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  VOLZ K (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  STOLZ W (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  KOCH M (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU) ,  BARANOVSKII S D (Philipps Univ. Marburg, Marburg, DEU)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 2  ページ： 025105,1-7  発行年： 2017年01月18日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V族希薄窒化物半導体は,オプトエレクトロニクス素子材料として重要であり,これを使った様々な素子が開発されている。これらの素子の実用化においては,発光波長とその強度だけでなく,単色性が優れていることやSi基板への集積化が可能なことが求められる。この要請を満たす最良な物質の1つがGa(NAsP)である。本研究は,Ga(NAsP)/GaP多重量子井戸におけるフォトルミネセンス(PL)のスペクトル線形を詳しく調べた。励起光強度を変えると,PLスペクトルのピークエネルギーと半値全幅が異常な変化を示すことを見いだした。局在状態の非単調性を仮定し,局在状態端における励起子がホッピングにより緩和するというモデルによって観測結果を説明した。

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *スペクトル ,  スペクトル線形 ,  光 ,  シミュレーション ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  固体素子 ,  FWHM ,  励起子 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *フォトルミネセンススペクトル ,  励起光 ,  モンテカルロシミュレーション ,  *窒化ヒ化ガリウム ,  オプトエレクトロニクス素子 ,  半値全幅

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ga ,  GAP ,  多重量子井戸 ,  フォトルミネセンス ,  線形 ,  励起 ,  依存性 ,  実験 ,  モンテカルロシミュレーション