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J-GLOBAL ID：201702251115894567   整理番号：17A0400625

レーザ干渉アブレーションによって直接作製したサブミクロンスケールの2Dperiodic構造をもつ高効率GaN LED【Powered by NICT】

High efficiency GaN LEDs with submicron-scale 2Dperiodic structures directly fabricated by laser interference ablation

著者 (8件)： Chen Yuanyuan (National Research Center for Optical Sensing/Communications Integrated Networking Lab of Photonics and Optical Communications, Dept. of Electronics Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China) ,  Chen Yuanyuan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA) ,  Yuan Dajun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA) ,  Yuan Dajun (Torrey Hills Technologies, LLC. 6370 Lusk Blvd, Suite F111, San Diego, CA 92121, USA) ,  Yang Muchuan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA) ,  Wang Deli (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, San Diego, CA 92093, USA) ,  Wang Deli (NEEM Scientific, Inc., San Diego, CA 92129, USA) ,  Sun Xiaohan (National Research Center for Optical Sensing/Communications Integrated Networking Lab of Photonics and Optical Communications, Dept. of Electronics Engineering, Southeast University, Nanjing 210096, China)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 90  ページ： 211-215  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ干渉による青色GaN発光ダイオード(LED)のp層上のサブミクロンスケールの2次元周期構造法を直接の研究を報告した。GaN LEDのp層表面上の六方晶格子構造を三ビームレーザ干渉により作製し,空気孔半径はレーザフルエンスを調整することにより変えることができる。周期400nm,180nmの正孔半径,深さ78nmの構造は215mJ/cm~2のレーザフルエンスでパターン化した。実験結果はシミュレーションとよく一致し,パターン化LEDは平面LEDと比較して光出力電力の55.7%の最大の増強を得ることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  格子構造 ,  電力 ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  周期構造 ,  正孔 ,  六方晶系 ,  *アブレーション ,  パターン形成
準シソーラス用語： 光出力 ,  レーザフルエンス ,  *高効率 ,  *レーザ干渉 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Blue GaN LEDキーワード ,  光抽出効率(LEE) ,  レーザ干渉アブレーション(LIA)

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ干渉 ,  アブレーション ,  作製 ,  高効率 ,  GaN ,  LED