最大10 cm<sup>2</sup>/Vsの平衡キャリア移動度を有するpチャネル有機およびnチャネル金属酸化物トランジスタを用いたハイブリッド相補回路

Isakov Ivan; Paterson Alexandra F.; Solomeshch Olga; Tessler Nir; Zhang Qiang; Li Jun; Zhang Xixiang; Fei Zhuping; Heeney Martin; Anthopoulos Thomas D.

文献

J-GLOBAL ID：201702251122925199 整理番号：17A0009394

最大10 cm²/Vsの平衡キャリア移動度を有するpチャネル有機およびnチャネル金属酸化物トランジスタを用いたハイブリッド相補回路

Hybrid complementary circuits based on p-channel organic and n-channel metal oxide transistors with balanced carrier mobilities of up to 10 cm²/Vs

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著者 (10件)：

Isakov Ivan

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(Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Blackett Laboratory, Imperial College London, South Kensington, London SW7 2AZ, United Kingdom)

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Paterson Alexandra F.

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 109 号： 26 ページ： 263301-263301-5 発行年： 2016年12月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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