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J-GLOBAL ID：201702251135237131   整理番号：17A0115187

低温,中性子束と累積放射線量効果の条件における工具技術のタスクのためのアナログアレイチップAC-1 3【Powered by NICT】

The analog array chip AC-1.3 for the tasks of tool engineering in conditions of cryogenic temperature, neutron flux and cumulative radiation dose effects

著者 (4件)： Dvornikov O. V. (OJSC “Minsk Research Instrument-Making Institute”, Minsk, Belarus) ,  Prokopenko N. N. (Don State Technical University, Rostov-on-Don, Russia) ,  Pakhomov I. V. (Don State Technical University, Rostov-on-Don, Russia) ,  Bugakova A. V. (Don State Technical University, Rostov-on-Don, Russia)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EWDTS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アレイチップAC-1(OJSC「積分」Minsk,Belarus)はツール工学と診断の目的のための20以上の集積回路(IC)の構築のための基礎である。は低温( 190°Cまでの効果とDC特性に及ぼす放射線及びn-p-n及びp-n-pバイポーラトランジスタの電流利得(β)の実験的研究で,JFET得られた結果,それらの構造中にAC-1 3を含むを提示した。AC-1 3に基づく新しいセミカスタム回路の設計指針を与え,空間条件で動作する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集積回路 ,  *中性子束 ,  *放射線 ,  接合形FET ,  *放射線量 ,  バイポーラトランジスタ ,  積分 ,  *低温
準シソーラス用語： 設計指針 ,  実験研究 ,  電流利得 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  中性子束 ,  累積 ,  放射 ,  工具 ,  タスク ,  Ac