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J-GLOBAL ID:201702251652601615   整理番号:17A0738556

高効率のc-ケイ素太陽電池のための表面不動態化方式の進歩

Advances in Surface Passivation Schemes for High Efficiency c-Silicon Solar Cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 16  号: 10  ページ: 10659-10664  発行年: 2016年10月 
JST資料番号: W1351A  ISSN: 1533-4880  CODEN: JNNOAR  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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結晶性(c-)ケイ素太陽電池の表面不動態化と反射防止被覆の接合について報告した。c-Siウエハの表面を表面粗化を行った後,900~1100°C熱酸化処理と500~700°C焼鈍処理を行った。その後,PECVD法でSiH4+N2O+NH3からSiONx膜やSiH4+NH3からSiNx膜を製膜し,さらにAl2O3で被覆した。これらの太陽電池の性能を調べた結果,SiONx膜が優れた性能を有しており,19.45%の転換効率と76.6%のFF値を示した。
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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