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J-GLOBAL ID：201702251762050226   整理番号：17A0399659

r.f.マグネトロンスパッタリングにより低温でαAl_2O_3基板上成長Cr_2O_3薄膜のプロセス【Powered by NICT】

The process of growing Cr₂O₃ thin films on α-Al₂O₃ substrates at low temperature by r.f. magnetron sputtering

著者 (4件)： Gao Yin (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Leiste Harald (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Stueber Michael (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Ulrich Sven (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Institute for Applied Materials (IAM-AWP), Hermann-von-Helmholtz-Platz 1, 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 457  ページ： 158-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚さ~180nmのCr_2O_3薄膜を非反応性無線周波数マグネトロンスパッタリングにより320°Cの基板温度で,c面αAl_2O_3(0001)単結晶基板上に成長させた。相形成と組成をX線回折(XRD)およびラマン分光分析によって特性化した。面内および面外格子定数,歪緩和と集合組織のような付加的な情報を逆格子空間写像(RSM)と極点図測定により得られた。透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて,微細構造を調べ,さらに膜と基板の間の配向とエピタキシャル関係を確認するために行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単結晶 ,  透過型電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  *アルミニウム ,  格子定数 ,  X線回折 ,  *クロム ,  基板温度 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  極点図 ,  Raman分光分析 ,  集合組織
準シソーラス用語： 逆格子空間 ,  歪緩和 ,  相形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1微結晶 ,  A1欠陥 ,  A1X線回折 ,  A3サファイア ,  A3物理蒸着過程 ,  A3選択的エピタクシー

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  低温 ,  成長 ,  薄膜 ,  プロセス