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J-GLOBAL ID：201702251850906279   整理番号：17A0303318

WSe2におけるキャリア移動度を制限する因子としての欠陥:分光学的研究【Powered by NICT】

Defects as a factor limiting carrier mobility in WSe2: A spectroscopic investigation

著者 (11件)： Wu Zhangting (Department of Physics, Southeast University) ,  Luo Zhongzhong (School of Electronic Science and Engineering, National Center of Microstructures and Quantum Manipulation, Nanjing University) ,  Shen Yuting (SEU-FEI Nano-Pico Center, Southeast University) ,  Zhao Weiwei (School of Mechanical Engineering, Southeast University) ,  Wang Wenhui (Department of Physics, Southeast University) ,  Nan Haiyan (Department of Physics, Southeast University) ,  Guo Xitao (Department of Physics, Southeast University) ,  Sun Litao (SEU-FEI Nano-Pico Center, Southeast University) ,  Wang Xinran (School of Electronic Science and Engineering, National Center of Microstructures and Quantum Manipulation, Nanjing University) ,  You Yumeng (Ordered Matter Science Research Center, Southeast University) ,  Ni Zhenhua (Department of Physics, Southeast University)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 12  ページ： 3622-3631  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)の電気的性能は,構造欠陥の数に強く影響される。本研究では,構造欠陥の数とWSe2素子の電気的性能を関連させるために光学分光学的キャラクタリゼーション方法を提供した。電子ビームlithographyprocessed WSe2の低温光ルミネセンス(PL)スペクトルは,欠陥に束縛された励起子に起因する明確な欠陥に誘起されたPL発光,電気的性能を強く劣化させることを示した。電子ビーム自由移動電極法を採用することにより,限られた量の欠陥を含むバックゲートWSe2素子を作製することに成功した。約200cm~2V( 1)/2( 1)の最大正孔移動度は換算散乱源,この素子の報告された最高の値であるのために達成された。本研究では,TMDsの欠陥も高速TMDデバイスにおける室温フォノン制限移動度にアプローチする新しい経路を監視するための多用途で非破壊的方法を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光 ,  光ルミネセンス ,  *キャリア移動度 ,  フォノン ,  電子ビーム ,  *移動度 ,  励起子 ,  二次元 ,  散乱体 ,  低温
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  バックゲート ,  分光特性 ,  構造欠陥 ,  *分光学的研究 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元材料 ,  二セレン化タングステン ,  構造欠陥 ,  光ルミネセンス分光法 ,  mobility

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： キャリア移動度 ,  制限 ,  因子 ,  欠陥 ,  分光学的研究